#NTT(日本電信電話)所属のとき、初期の共同研究の成果として書いた論文2編をアップします。

 

東大物性研で慶應大学大学院生と行ったMagneto-phononの共同研究の成果です。

【Journal-of-Physical-Society-of-Japan-Vol.53-No.10-October-1984-pp.-3553-3559】Magnetophonon-Resonance-in-.pdf

次は阪大大山研と行った遠赤外分光の共同研究の成果です。

【Jpn.-J.-Appl.-Phys.-221983L742】Far-Infrared-Magneto-Absorption.pdf

 

 

#大阪大学大学院在学時の論文をアップします。

1979年の博士課程終了後に掲載された論文で、博士号の研究テーマ「半導体/強磁性体複合系における表面静磁波の増幅に関する研究」に関するものです。マイクロ波帯Xバンドのデバイス開発に関する研究です。

【J.Appl_.Phys_.-Vol.53-No.8-August-1982】Experimental-investigation-of-.pdf

 

#NTT勤務時初期の論文3編をアップします。

山田研修了生には殆ど関係ありませんが、NTT(旧日本電信電話公社基礎研究所)勤務時初期の論文3編をアップします。NTTでの研究は、最近とは異なり、光通信分野のLiNb03光変調器の作製(一応微細加工)と応用の研究やps光パルス応用超高速スイッチの研究などをやっていました。

【ELECTRONICS-LETTERS-2nd-April-1981-Vol.17-No.7-pp.259-260】HIGH-SPPED-2_BIT.pdf

【Appl.Phys_.Lett_.391-1-July-1981】Analog-to-digital.pdf

【Appl.-Phys.-Lett.42-6-15-March-1983】First-order-optoelectronic.pdf

 

#大阪工大勤務時執筆の論文2編を掲載します。

大阪工大勤務時(2015~2021年)執筆の論文2編をアップします。

1)InGaAs 2層2次元電子ガス系における分数量子ホール効果(2019年)

この材料系2次元電子ガスにおいて、分数量子ホール状態が2層⇔1層の遷移時に特異的に出現することを初めて見出している。

pdf: Sci-Rep-s41598-019-43290-8.pdf

 

2)GaN/AlGaN界面2次元ホールガスの磁気抵抗解析(2024年)

GaN/AlGaN界面に生成した低濃度2次元ホールガスの磁気抵抗解析をこの材料系で初めて行い、スピン物性評価に成功した結果である。

pdf: APL24-AR-02539nc.pdf